전력소비 20%, 생산성 25% 향상…하반기 공급 개시
[금융소비자뉴스 강승조 기자] SK하이닉스가 극자외선(EUV) 미세공정이 처음 적용된 10나노급 4세대(1a) 모바일 D램 양산에 들어갔다.
SK하이닉스는 이달 초부터 차세대 10나노급 4세대(1a) 미세공정이 적용된 8Gbit(기가비트) LPDDR4 양산을 시작했다고 12일 밝혔다.
SK하이닉스 관계자는 "플래그십 스마트폰 시장에서 LPDDR5 모바일 D램의 채용이 시작됐지만 아직 스마트폰의 주 채용 제품은 LPDDR4"라면서 "이에 LPDDR4를 1a 첫 제품으로 양산하게 됐다"고 설명했다.
SK하이닉스는 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품을 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급할 예정이다.
LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)는 스마트폰 등 이동식 디바이스용으로 개발된 저전력 D램으로 이번 제품은 D램 가운데 극자외선(EUV) 공정 기술이 처음 적용됐다.
SK하이닉스는 향후 1a D램 모든 제품을 EUV를 활용해 생산할 방침이다.
신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격의 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄인 것이 특징으로 탄소 배출을 줄여 ESG(환경·사회·지배구조) 경영에도 부합하는 모델이다.
1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 늘어 생산성도 향상됐다. 올해 전세계적으로 D램 수요가 늘어나면서 글로벌 메모리 반도체 수급에 1a D램이 큰 역할을 할 것이라는 게 회사 측 기대이다.
SK하이닉스는 이번 LPDDR4 제품에 이어, 차세대 D램인 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용할 계획이다.
